由于外延稳定和应变工程的协同效应，当输电运也显示出对α-FAPbI3显著增强的稳定作用。
热力学上，检遇表面张力能总是存在的，就像在Wulff结构中使用的那样(现在也被称为界面平衡能)。在另一个实验中，上元在两个∼20nm的Au尖端之间形成了一个纳米间隙，然后放置四个月，之后发现纳米间隙明显扩大了，最大曲率的位置已经被抹平了。
出现Coble伪弹性行为是表明扩散导致的，宇宙但是作者并不满足于这表面的原因，宇宙所以他们进入深挖时间，进一步探究Coble伪弹性出现的重要因素：表面张力能。当输电运到底是什么样的原因导致了10nm以下的Ag纳米晶体发生了伪弹性形变呢？作者从金属金的无位错扩散变形来推断Ag纳米晶体的伪弹形变。随着纳米技术的发展，检遇对纳米器件的要求也越来越高，检遇现在14nm的电子器件已经进入市场，而10nm以下的纳米电子器件则将成为发展的下一步目标，这个越来越小的电子器件应该要达到怎样的要求才能满足市场的需求呢？首当其冲，作者考虑到的就是10nm以下电子器件的稳定性，尤其是在室温和零压力的环境，纳米电子器件的变化是否是没有记忆的塑性形变还是带有记忆的弹性形变呢？10nm以下的电子器件，光靠肉眼肯定是观察不到，这时作者的杀手锏—原位高分辨透射电镜就派上用场了，到底10nm以下电子器件的形状变化面纱被揭开之后会是怎么样呢？我们且听下回分解。
当然这并不是空口套白狼，上元而是实实在在的高分辨透射电镜观测得到的，上元可以看到在给Ag纳米晶体施加压力的时候，出现了新的原子层，压力越大，原子层越多，而由位错滑移生成的表面台阶并没有出现，说明Ag纳米晶体出现的Coble伪弹性形变是是由于表面扩散引起的，而且这种假性弹性形变是可以恢复Ag纳米晶体本来的样子。因此，宇宙表面扩散确实严重威胁了低于10纳米尺度金属纳米晶体在室温下的形状稳定性，即使拥有相对较高熔点Ag也是如此。
嘿嘿，当输电运回归正题，当输电运那么这个Ag纳米晶体在压缩和伸长的过程中它的本质有没有改变呢，细心的作者通过高分辨的透射电镜看出来了，压缩和伸长的Ag纳米晶体都仍然保持单晶的形状。
当推移塑性作用活跃极小体时，检遇强烈趋向于σ∝R-α(α通常是0.5到1)的Hall-Petch-like极小体形成的交叉是非常弱的扩散Coble变形机制σ∝Rn，检遇当R降低时，由于大的正指数n，该极小体应该是尖锐和突出的。上元AIE操作的荧光（FL）发射。
但是，宇宙大多数临床认可的PS会广泛分布在正常组织中，尤其是皮肤，在暴露于光下会引起光毒性。而且，当输电运将阴离子聚集诱导发光（AIE）化合物策略性地引入到上述聚合物抗菌体系中，当输电运因此基于细菌膜中的阴离子种类与阳离子聚合物的静电反应，被用作用于细菌检测实用工具的简便报告分子。
这种荧光开启响应归因于裂解的疏水TPE残基的聚集，检遇这限制了TPE苯环的分子内旋转并构成了辐射衰减通道。上元它是基于光敏剂（PS）照射后引起的光毒性。
